| 產(chǎn)品參數(shù) | DFB 外延片 | EML 外延片 | FP 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 10G/25G/56G | 2.5G/10G/25G |
| 波長(zhǎng) | 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm | 1310nm/1550nm/1577nm | 1310nm/1550nm |
| 尺寸 | 2inch/3inch | 2inch/3inch | 2inch/3inch |
| 產(chǎn)品特色 |
GPON、XGPON、XGSPON、BIDI 光柵工藝（全息光柵、電子束曝光、納米壓?。?/td> | SAG和Butt joint工藝 | 小發(fā)散角 |
| 產(chǎn)品說(shuō)明 | 半導(dǎo)體激光器包括DFB、EML和FP等三大類，覆蓋波長(zhǎng)從1270nm到1610nm，應(yīng)用于GPON、XGPON、XGSPON、FTTR、CWDM/DWDM、BIDI等光通信網(wǎng)絡(luò)。全磊光電擁有零缺陷外延生長(zhǎng)工藝和百納米級(jí)光柵平臺(tái)，激光器外延片已量產(chǎn)多年，產(chǎn)品良率高、可靠性好。全磊光電還擁有含Al材料側(cè)向掩埋工藝和耦合異質(zhì)對(duì)接生長(zhǎng)工藝，可滿足不同應(yīng)用產(chǎn)品的制造需求。 | ||
激光器產(chǎn)品
探測(cè)器產(chǎn)品
| 產(chǎn)品參數(shù) | APD 外延片 | PIN 外延片 | MPD 外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 2.5G/10G/25G | 2.5G/10G/25G/50G | — |
| 尺寸 | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch | 2inch/3inch/4inch |
| 產(chǎn)品特色 | Zn擴(kuò)散工藝 |
低暗電流 | Zn擴(kuò)散工藝 |
| 產(chǎn)品說(shuō)明 | 半導(dǎo)體探測(cè)器包括APD、PIN和MPD三大類，覆蓋波長(zhǎng)從650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光網(wǎng)絡(luò)皆適用。PD的工作原理為(1)探測(cè)器PN結(jié)形成內(nèi)建電場(chǎng)；(2)光入射到半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，并在電場(chǎng)作用下定向流動(dòng)而產(chǎn)生光電流；(3)光電流導(dǎo)出為輸出信號(hào)。探測(cè)器通常需要針對(duì)工作波長(zhǎng)具有高的靈敏度，高響應(yīng)速率、低的暗電流和高可靠度。APD是在PD的基礎(chǔ)上采用雪崩倍增效應(yīng)，將接收到的光電流放大，提升探測(cè)靈敏度。全磊光電PD及APD探測(cè)器產(chǎn)品已穩(wěn)定量產(chǎn)多年，且可為客戶提供Zn擴(kuò)散服務(wù)。 |
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